資源タイプ: ジャーナル論文 キーワード: dislocation
全ての絞り込みを解除

4 件のレコードが見つかりました。 1件目から4件目まで表示します。

全ての絞り込みを解除
Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along .pdf
Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along -12-10>
ジャーナル論文
著者
Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Shingo Yagyu (author) (この著者で検索)
;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
キーワード
α-Ga2O3, HVPE, dislocation, ELO
刊行年月日
2021-11-07
更新時刻
2024-01-30 16:49:49 +0900
ICMPC paper.docx
ɤ-TiAl alloy: Revisiting tensile creep deformation behaviour and creep life at 832 °C
ジャーナル論文
著者
Mainak Saha (author) (この著者で検索)
National Institute of Technology, Durgapur; Indian Institute of Technology, Madras Metallurgical and Materials Engineering
ORCID SAMURAI
キーワード
ɤ-TiAl, Monkman-Grant parameter, Coble creep, Nabarro-Herring creep, dislocation
刊行年月日
2022-10-31
更新時刻
2024-07-30 08:30:09 +0900
Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis.pdf
Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis
ジャーナル論文
著者
Kazuma Torii (author) (この著者で検索)
Nagoya University a Graduate School of Engineering
;
Takuto Kojima (author) (この著者で検索)
;
Kentaro Kutsukake (author) (この著者で検索)
;
Hiroaki Kudo (author) (この著者で検索)
;
Noritaka Usami (author) (この著者で検索)
キーワード
Silicon, dislocation, twin grain boundary, network analysis
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-07-16 16:14:54 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m-plane -Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy-1.pdf
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Takashi Shinohe (author) (この著者で検索)
ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 12:30:12 +0900
絞り込み