MDRについて
ヘルプ
お問い合わせ
Switch language
日本語
English
ログイン
ログイン
Search MDR
Home
論文・データセット
コレクション
資源タイプ
ジャーナル論文(5)
キーワード
Diamond (2)
hexagonal boron nitride (2)
Field effect (1)
Field-effect transistors (1)
Hydrogen-terminated diamond (1)
Hydrogen-terminated surface (1)
NV center (1)
Self-aligned gate electrode (1)
Transfer doping (1)
Transistor (1)
(more)
ライセンス
In Copyright (3)
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (1)
Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International (1)
ファイル種別
application/pdf (3)
application/zip (2)
5 件のレコードが見つかりました。
Enhanced channel mobility of hexagonal boron nitride/hydrogen-terminated diamond heterojunction field-effect transistor
ジャーナル論文
著者
Yosuke Sasama
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-8358-6101
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yosuke Sasama
;
Takuya Iwasaki
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-1103-2433
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takuya Iwasaki
;
Masataka Imura
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-4236-9549
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Masataka Imura
;
Kenji Watanabe
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-3701-8119
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-1467-3105
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takashi Taniguchi
;
Yamaguchi Takahide
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yamaguchi Takahide
キーワード
diamond
,
field-effect transistors
,
hexagonal boron nitride
刊行年月日
2025-10-06
更新時刻
2025-10-21 16:06:02 +0900
Diamond field-effect transistors
ジャーナル論文
著者
Yamaguchi Takahide
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
National Institute for Materials Science Research Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA)/Quantum Materials Field/Surface Quantum Phase Materials Group
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yamaguchi Takahide
キーワード
Diamond
,
Transistor
,
Field effect
刊行年月日
更新時刻
2025-09-03 12:31:04 +0900
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
ジャーナル論文
著者
山口 尚秀
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター/量子材料分野/表面量子相物質グループ
NIMS Researchers Directory SAMURAI
山口 尚秀
キーワード
ダイヤモンド
,
トランジスタ
,
電界効果
刊行年月日
更新時刻
2026-03-01 12:30:15 +0900
Self-aligned gate electrode for hydrogen-terminated diamond field-effect transistors with a hexagonal boron nitride gate insulator
ジャーナル論文
著者
Yosuke Sasama
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-8358-6101
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yosuke Sasama
;
Takuya Iwasaki
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-1103-2433
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takuya Iwasaki
;
Mohammad Monish
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-2352-2640
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Mohammad Monish
;
Kenji Watanabe
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-3701-8119
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-1467-3105
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Takashi Taniguchi
;
Yamaguchi Takahide
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yamaguchi Takahide
キーワード
Hydrogen-terminated diamond
,
Field-effect transistors
,
hexagonal boron nitride
,
Self-aligned gate electrode
刊行年月日
2024-08-26
更新時刻
2024-09-12 16:30:45 +0900
Surface transfer doping of hydrogen-terminated diamond probed by shallow nitrogen-vacancy centers
ジャーナル論文
著者
Taisuke Kageura
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-9792-5223
(unauthenticated)
National Institute for Materials Science
Taisuke Kageura
;
Yosuke Sasama
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0002-8358-6101
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yosuke Sasama
;
Keisuke Yamada
(author) (
この著者で検索
)
Keisuke Yamada
;
Kosuke Kimura
(author) (
この著者で検索
)
Kosuke Kimura
;
Shinobu Onoda
(author) (
この著者で検索
)
Shinobu Onoda
;
Yamaguchi Takahide
(author) (
この著者で検索
)
https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
National Institute for Materials Science
NIMS Researchers Directory SAMURAI
Yamaguchi Takahide
キーワード
Diamond
,
Transfer doping
,
NV center
,
Two-dimensional hole gas
,
Hydrogen-terminated surface
刊行年月日
2024-07-02
更新時刻
2024-08-29 16:09:18 +0900
キーワード
Diamond
(2)
hexagonal boron nitride
(2)
Field effect
(1)
Field-effect transistors
(1)
Hydrogen-terminated diamond
(1)
Hydrogen-terminated surface
(1)
NV center
(1)
Self-aligned gate electrode
(1)
Transfer doping
(1)
Transistor
(1)
Two-dimensional hole gas
(1)
diamond
(1)
field-effect transistors
(1)
ダイヤモンド
(1)
トランジスタ
(1)
電界効果
(1)
RDEメタデータ定義
RDE送り状
<
1
>