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引用

説明:

ダイヤモンドは，他のワイドバンドギャップ半導体で作るのが難しい高性能なpチャネルの電界効果トランジスタを作ることができる稀有(けう)な物性を持つ．そのため，相補型パワーインバータの実現などパワーエレクトロニクスを変革する可能性のある魅力的な半導体材料である．本稿では，研究開発が進むダイヤモンド電界効果トランジスタについて，特にダイヤモンドとゲート絶縁膜の接合部の構造が特性に与える影響を中心に解説する．

権利情報:

• In Copyright
  © 2025 公益社団法人応用物理学会

キーワード: ダイヤモンド, トランジスタ, 電界効果

刊行年月日:

出版者: 公益社団法人応用物理学会

掲載誌:

• 応用物理 (ISSN: 03698009) vol. 94 issue. 3 p. 124-129

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5685

公開URL: https://doi.org/10.11470/oubutsu.94.3_124

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-03-01 12:30:15 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-03-01 09:37:28 +0900