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ダイヤモンドは，他のワイドバンドギャップ半導体で作るのが難しい高性能なpチャネルの電界効果トランジスタを作ることができる稀有(けう)な物性を持つ．そのため，相補型パワーインバータの実現などパワーエレクトロニクスを変革する可能性のある魅力的な半導体材料である．本稿では，研究開発が進むダイヤモンド電界効果トランジスタについて，特にダイヤモンドとゲート絶縁膜の接合部の構造が特性に与える影響を中心に解説する．

Rights:

• In Copyright
  

  © 2025 公益社団法人応用物理学会

Keyword: ダイヤモンド, トランジスタ, 電界効果

Date published:

Publisher: 公益社団法人応用物理学会

Journal:

• 応用物理 (ISSN: 03698009) vol. 94 issue. 3 p. 124-129

Funding:

Manuscript type: Author's version (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5685

First published URL: https://doi.org/10.11470/oubutsu.94.3_124

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Updated at: 2026-03-01 12:30:15 +0900

Published on MDR: 2026-03-01 09:37:28 +0900