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31 件のレコードが見つかりました。
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
論文
著者
Yuichi Oshima
; Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
HVPE
,
ELO
刊行年月日
2025-05-19
更新時刻
2025-05-21 15:11:49 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
HCl gas etching
,
air bridge
刊行年月日
2025-05-01
更新時刻
2025-05-07 11:01:17 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of
m
-plane α-Ga
2
O
3
by halide vapor phase epitaxy
論文
著者
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
,
ELO
,
HVPE
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-04-23 09:22:16 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga
2
O
3
論文
著者
Mugove Maruzane
;
Yuichi Oshima
;
Olha Makydonska
;
Paul R Edwards
;
Robert W Martin
;
Fabien C-P Massabuau
キーワード
Ga2O3
,
dislocation
刊行年月日
2025-01-20
更新時刻
2024-11-13 08:31:40 +0900
Formation of GaN mesas with reverse-tapered edge structures on a lattice-matched AlInN layer for a positive beveled edge termination
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Masataka Imura
;
Yuichi Oshima
キーワード
GaN
,
AlInN
,
etching
,
positive bevel edge termination
刊行年月日
2024-08-01
更新時刻
2024-08-02 12:30:52 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga
2
O
3
using forming gas under atmospheric pressure
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
forming gas
,
anisotropic etching
,
plasma-free process
刊行年月日
2024-12-31
更新時刻
2024-07-31 12:30:20 +0900
Band gaps and phonons of quasi-bulk rocksalt ScN
論文
著者
Jona Grümbel ; Rüdiger Goldhahn ; Martin Feneberg ;
Yuichi Oshima
; Adam Dubroka ; Manfred Ramsteiner
キーワード
ScN
,
phonon
刊行年月日
更新時刻
2024-07-18 12:30:21 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
etching
,
HCl
刊行年月日
2023-04-17
更新時刻
2024-05-29 08:30:12 +0900
Realization of High‐Resistive Ni‐Doped GaN Crystal by Hydride Vapor‐Phase Epitaxy
論文
著者
Takafumi Odani
; Kenji Iso ;
Yuichi Oshima
; Hirotaka Ikeda ; Tae Mochizuki ; Satoru Izumisawa
キーワード
GaN HVPE
刊行年月日
2024-03-11
更新時刻
2025-03-11 12:30:23 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
論文
著者
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
キーワード
Ga2O3
,
(-102)
,
selective area growth
,
selective area etching
刊行年月日
2024-01-22
更新時刻
2025-01-25 12:30:12 +0900
キーワード
HVPE
(12)
Ga2O3
(11)
dislocation
(8)
α-Ga2O3
(8)
ELO
(7)
β-Ga2O3
(5)
etching
(4)
ScN
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HCl gas etching
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epitaxy
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