論文 HCl-gas etching of (001) β-Ga2O3 under oxygen supply

Yuichi Oshima SAMURAI ORCID (Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group, National Institute for Materials Science) ; Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID (Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Ultra-wide Bandgap Semiconductors Group, National Institute for Materials Science)

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引用
Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. HCl-gas etching of (001) β-Ga2O3 under oxygen supply. SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS. 2025, 26 (1), . https://doi.org/10.1080/14686996.2025.2546285

説明:

(abstract)

O2供給下で(001) β-Ga2O3のHClガスエッチングを行い、O2供給分圧やエッチング温度が平坦面のエッチレートや表面粗さに与える影響を明らかにした。また、選択エッチング技術を用いて横方向のエッチレートやその異方性がO2供給分圧やエッチング温度にどのような影響を受けるのかも明らかにした。

権利情報:

キーワード: Ga2O3, etching, plasma-free

刊行年月日: 2025-12-31

出版者: Taylor & Francis

掲載誌:

  • SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS (ISSN: 18785514) vol. 26 issue. 1

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1080/14686996.2025.2546285

関連資料:

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連絡先:

更新時刻: 2025-09-04 12:30:19 +0900

MDRでの公開時刻: 2025-09-04 12:20:11 +0900

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