17 件のレコードが見つかりました。
Uncovering crystal structure evolution via nanobeam X-ray diffraction with a continuity-driven machine learning approach
- 論文
- 著者
-
Zhendong Wu
;
Tetsuya Tohei
;
Yusuke Hayashi
;
Shigeyoshi Usami
;
Masayuki Imanishi
;
Yusuke Mori
;
Junichi Takino
;
Kazushi Sumitani
;
Yasuhiko Imai
;
Shigeru Kimura
;
Akira Sakai
- キーワード
- GaN, nanoXRD, ML
- 刊行年月日
- 2026-02-15
- 更新時刻
- 2026-02-26 12:30:06 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for GaN / P6_3mc (186) / materials id 804
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, GaN
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 15:02:16 +0900
First-principles lattice thermal conductivity calculation for GaN / F-43m (216) / materials id 830
- データセット
- コレクション
- MDR lattice thermal conductivity calculation database
- 著者
-
Atsushi Togo
- キーワード
- Lattice thermal conductivity, GaN
- 刊行年月日
- 更新時刻
- 2026-01-24 12:32:02 +0900
In situ nanobeam x-ray diffraction of local strain in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors under operating condition
- 論文
- 著者
-
Akihiro Shimada
;
Haruna Shiomi
;
Tetsuya Tohei
;
Yusuke Hayashi
;
Masaya Yamaguchi
;
Junpei Yamamoto
;
Takeaki Hamachi
;
Yasuhiko Imai
;
Kazushi Sumitani
;
Shigeru Kimura
;
Shota Kaneki
;
Tamotsu Hashizume
;
Akira Sakai
- キーワード
- GaN, HEMT, Strain, In situ
- 刊行年月日
- 2025-08-21
- 更新時刻
- 2025-08-23 08:30:23 +0900
Machine learning assisted nanobeam X-ray diffraction based analysis on hydride vapor-phase epitaxy GaN
- 論文
- 著者
-
Zhendong Wu
;
Yusuke Hayashi
;
Tetsuya Tohei
;
Kazushi Sumitani
;
Yasuhiko Imai
;
Shigeru Kimura
;
Akira Sakai
- キーワード
- GaN, SPring-8, nanoXRD, Machine learning
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-07-31 12:30:18 +0900
A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures
- 論文
- 著者
-
Masahiro Hara
;
Toshihide Nabatame
;
Yoshihiro Irokawa
;
Tomomi Sawada
;
Manami Miyamoto
;
Hiromi Miura
;
Tsunenobu Kimoto
;
Yasuo Koide
- キーワード
- GaN
- 刊行年月日
- 2025-05-07
- 更新時刻
- 2025-05-08 12:30:16 +0900
Communication—A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO2 Process
- 論文
- 著者
-
Yoshihiro Irokawa
;
Toshihide Nabatame
;
Tomomi Sawada
;
Manami Miyamoto
;
Hiromi Miura
;
Kazuhito Tsukagoshi
;
Yasuo Koide
- キーワード
- GaN
- 刊行年月日
- 2024-08-01
- 更新時刻
- 2024-09-02 12:30:27 +0900
Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation
- 論文
- 著者
-
Hironori Okumura
;
Yohei Ogawara
;
Manabu Togawa
;
Masaya Miyahara
;
Tadaaki Isobe
;
Kosuke Itabashi
;
Jiro Nishinaga
;
Masataka Imura
- キーワード
- GaN, Schottky barrier diode, MOCVD, Vertical-type PN junction diode, Radiation irradiations , Proton, Xe
- 刊行年月日
- 2023-06-01
- 更新時刻
- 2024-08-24 08:30:18 +0900
Formation of GaN mesas with reverse-tapered edge structures on a lattice-matched AlInN layer for a positive beveled edge termination
- 論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima
;
Masataka Imura
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- GaN, AlInN, etching, positive bevel edge termination
- 刊行年月日
- 2024-08-01
- 更新時刻
- 2024-08-02 12:30:52 +0900
Classification for transmission electron microscope images from different amorphous states using persistent homology
- 論文
- 著者
-
Fumihiko Uesugi
;
Masashi Ishii
- キーワード
- Amorphous structure, TEM image simulation, GaN, persistent homology
- 刊行年月日
- 2022-06-06
- 更新時刻
- 2024-07-04 16:32:11 +0900