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Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, selective area growth
- 刊行年月日
- 2022-07-01
- 更新時刻
- 2024-01-05 22:13:27 +0900
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga2O3
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, crystallographic etching, (011)
- 刊行年月日
- 2025-01-01
- 更新時刻
- 2026-01-24 15:43:35 +0900
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Yuichi Oshima (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching
- 刊行年月日
- 2023-06-01
- 更新時刻
- 2024-06-15 08:30:13 +0900