ファイル種別: application/pdf 資源タイプ: ジャーナル論文 キーワード: MOCVD
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【正式版】Advanced Physics Research - 2026 - Kawamura - An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon.pdf
An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
Takeyoshi Onuma (author) (この著者で検索)
; ORCID SAMURAI
キーワード
GaN on Si, Epitaxial, Buffer, Sputtering, MOCVD
刊行年月日
2026-05-29
更新時刻
2026-09-17 13:05:42 +0900
lim-et-al-2025-dual-step-chemical-treatment-of-wafer-scale-metal-organic-chemical-vapor-deposition-grown-monolayer.pdf
Dual-Step Chemical Treatment of Wafer-Scale Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Grown Monolayer Molybdenum Disulfides
ジャーナル論文
著者
Juhwan Lim (author) (この著者で検索)
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Anh Tuấn Hoàng (author) (この著者で検索)
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Zhaojun Li (author) (この著者で検索)
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Tran Thi Ngoc Van (author) (この著者で検索)
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Jung-In Lee (author) (この著者で検索)
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Kihyun Lee (author) (この著者で検索)
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Nicolas Gauriot (author) (この著者で検索)
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Kyle Frohna (author) (この著者で検索)
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Takashi Taniguchi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Kenji Watanabe (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Bonggeun Shong (author) (この著者で検索)
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Kwanpyo Kim (author) (この著者で検索)
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Samuel D. Stranks (author) (この著者で検索)
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Jong-Hyun Ahn (author) (この著者で検索)
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Akshay Rao (author) (この著者で検索)
キーワード
molybdenum disulfide (MoS2)
, MOCVD, chemical treatment
刊行年月日
2025-10-07
更新時刻
2026-02-17 08:30:32 +0900
Sakuma_et_al-2026-Nature_Communications.pdf
Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics
ジャーナル論文
著者
Yoshiki Sakuma (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Keisuke Atsumi (author) (この著者で検索)
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Takanobu Hiroto (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Jun Nara (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Akihiro Ohtake (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Yuki Ono (author) (この著者で検索)
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Takashi Matsumoto (author) (この著者で検索)
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Toshiki Yasuno (author) (この著者で検索)
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Asato Suzuki (author) (この著者で検索)
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Shuhong Li (author) (この著者で検索)
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Tomonori Nishimura (author) (この著者で検索)
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Kaito Kanahashi (author) (この著者で検索)
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Kosuke Nagashio (author) (この著者で検索)
キーワード
MoS2, epitaxial growth, MOCVD
刊行年月日
2026-01-21
更新時刻
2026-01-29 16:30:04 +0900
Okumura_2023_Jpn._J._Appl._Phys._62_064001 (1).pdf
Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation
ジャーナル論文
著者
Hironori Okumura (author) (この著者で検索)
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Yohei Ogawara (author) (この著者で検索)
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Manabu Togawa (author) (この著者で検索)
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Masaya Miyahara (author) (この著者で検索)
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Tadaaki Isobe (author) (この著者で検索)
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Kosuke Itabashi (author) (この著者で検索)
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Jiro Nishinaga (author) (この著者で検索)
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Masataka Imura (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI
キーワード
Schottky barrier diode, MOCVD, Vertical-type PN junction diode, Proton, Xe, Radiation irradiations, GaN
刊行年月日
2023-06-01
更新時刻
2024-08-24 08:30:18 +0900
manuscript-liwensang-for fundamental research.pdf
High-pressure MOCVD growth of InGaN thick films toward the photovoltaic applications
ジャーナル論文
著者
Liwen Sang (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID ;
Meiyong Liao (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masatomo Sumiya (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Xuelin Yang (author) (この著者で検索)
;
Bo Shen (author) (この著者で検索)
キーワード
High-pressure, MOCVD, InGaN
刊行年月日
2021-12-01
更新時刻
2024-12-17 16:30:45 +0900
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