ライセンス: Creative Commons BY Attribution 4.0 International キーワード: dislocation

4 件のレコードが見つかりました。

Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis.pdf
Dislocation cluster generation behavior in multicrystalline silicon investigated using twin network analysis
ジャーナル論文
著者
Kazuma Torii (author) (この著者で検索)
Nagoya University a Graduate School of Engineering
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Takuto Kojima (author) (この著者で検索)
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Kentaro Kutsukake (author) (この著者で検索)
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Hiroaki Kudo (author) (この著者で検索)
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Noritaka Usami (author) (この著者で検索)
キーワード
Silicon, dislocation, twin grain boundary, network analysis
刊行年月日
2025-12-31
更新時刻
2025-07-16 16:14:54 +0900

Maruzane_2025_J._Phys._D__Appl._Phys._58_03LT02.pdf
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
ジャーナル論文
著者
Mugove Maruzane (author) (この著者で検索)
ORCID ; ORCID SAMURAI ;
Olha Makydonska (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Paul R Edwards (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Robert W Martin (author) (この著者で検索)
ORCID ;
Fabien C-P Massabuau (author) (この著者で検索)
ORCID
キーワード
Ga2O3, dislocation
刊行年月日
2025-01-20
更新時刻
2024-11-13 08:31:40 +0900

ICMPC paper.docx
ɤ-TiAl alloy: Revisiting tensile creep deformation behaviour and creep life at 832 °C
ジャーナル論文
著者
Mainak Saha (author) (この著者で検索)
National Institute of Technology, Durgapur; Indian Institute of Technology, Madras Metallurgical and Materials Engineering
ORCID SAMURAI
キーワード
ɤ-TiAl, Monkman-Grant parameter, Coble creep, Nabarro-Herring creep, dislocation
刊行年月日
2022-10-31
更新時刻
2024-07-30 08:30:09 +0900

Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase.pdf
Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
ジャーナル論文
著者
ORCID SAMURAI ;
K. Kawara (author) (この著者で検索)
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T. Shinohe (author) (この著者で検索)
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T. Hitora (author) (この著者で検索)
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M. Kasu (author) (この著者で検索)
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S. Fujita (author) (この著者で検索)
キーワード
α-Ga2O3, HVPE, ELO, dislocation
刊行年月日
2019-02-01
更新時刻
2024-01-29 16:48:15 +0900