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(abstract)

InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1kV，測定したAugerピークはP LVV，In MNNである．その結果，深さ分解能は明確に試料の温度に依存し，温度が低くなるほど著しく向上することがわかった．また，深さ分解能と表面あれには相関関係がみられた．そして，深さ分解能を低下させる主要因は表面あれであると考えられる．

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Keyword: Auger Depth Profiling Analysis, Depth Resolution, Sample Temperature, InP/GaInAsP多層膜

Date published: 1995-05-17

Publisher: Surface Analysis Society of Japan

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Manuscript type: Author's original (Submitted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3041

First published URL: http://www.sasj.jp/JSA/CONTENTS/vol.1_2/Vol.1%20No.2/Vol.1%20No.2%20227-233.pdf

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Updated at: 2022-10-03 01:44:22 +0900

Published on MDR: 2021-08-13 01:20:01 +0900