コレクション

引用

説明:

(abstract)

InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1kV，測定したAugerピークはP LVV，In MNNである．その結果，深さ分解能は明確に試料の温度に依存し，温度が低くなるほど著しく向上することがわかった．また，深さ分解能と表面あれには相関関係がみられた．そして，深さ分解能を低下させる主要因は表面あれであると考えられる．

権利情報:

キーワード: Auger Depth Profiling Analysis, Depth Resolution, Sample Temperature, InP/GaInAsP多層膜

刊行年月日: 1995-05-17

出版者: Surface Analysis Society of Japan

掲載誌:

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3041

公開URL: http://www.sasj.jp/JSA/CONTENTS/vol.1_2/Vol.1%20No.2/Vol.1%20No.2%20227-233.pdf

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2022-10-03 01:44:22 +0900

MDRでの公開時刻: 2021-08-13 01:20:01 +0900