The tunnel magnetoresistance (TMR) is one of the most important spintronic phenomena but its reduction at finite temperature is a severe ...

スピネルバリアを用いた磁気トンネル接合Fe/MgAl2O4/Feの電圧特性を理論的に解析し、その結果をFe/MgO/Feの電圧特性と比較した。その結果、Fe/MgAl2O4/Feでは電極でのバンド折りたたみが起こるため、磁気抵抗比の電圧耐性がFe/MgO/Feよりも高くなる...

半導体バリアCuInSe2、CuGaSe2を持つ磁気トンネル接合の伝導特性を第一原理計算によって調べた。その結果、両トンネル接合でΔ1状態の波動関数のコヒーレントトンネル現象が生じ、高いMR比が得られることが分かった。

We study interfacial magnetocrystalline anisotropies in various Fe/semiconductor heterostructures by means of first-principles calculatio...

We theoretically study the tunnel magnetoresistance (TMR) effect in (111)-oriented junctions Co/MgO/Co(111) and Ni/MgO/Ni(111). The Co-ba...

We study the tunnel magnetoresistance (TMR) effect and magnetocrystalline anisotropy in a series of magnetic tunnel junctions (MTJs) with...

磁気ヘテロ接合Fe/MgAl2O4の界面の磁気異方性について第一原理計算に基づいた解析を行った。垂直磁気異方性が得られることがわかり、その起源についても微視的な解析によって理解が得られた。また、より大きな垂直磁気異方性を得る手段として界面への重元素挿入の可能性についても検討した。

We theoretically study the tunnel magnetoresistance (TMR) effect in novel (111)-oriented magnetic tunnel junctions (MTJs) with SrTiO3 bar...

2つの半導体バリアを持つ磁気トンネル接合（Fe/CuInSe2/Fe及びFe/CuGaSe2/Fe）の磁気伝導特性に関し、第一原理計算に基づく詳細な解析を行った。本論文ではその結果について議論を行った。