We have investigated the Auger depth profiling analysis of HfO2 /Si by the glancing angle ion beam sputtering method at an incident angle...

AES深さ方向分析の標準化を進めるために，InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った．参加した２３機関の装置は３社に分類され，その仕様が異なるため，測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して，その他の条件は各機関に一任...

半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では，傾斜ホルダーを用いると装置のジオ メトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の 回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は，傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を 設定でき，電...

磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために，極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った．その...

InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1...