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Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
- 論文
- 著者
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Yuichi Oshima
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Encarnaciόn G. Vίllora
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Kiyoshi Shimamura
- キーワード
- β-Ga2O3, heteroepitaxy
- 刊行年月日
- 2014-10-28
- 更新時刻
- 2024-01-22 09:35:42 +0900