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コレクション

引用

説明:

AES深さ方向分析の標準化を進めるために，InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った．参加した２３機関の装置は３社に分類され，その仕様が異なるため，測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して，その他の条件は各機関に一任した．イオンスパッタリングにはスポットビームおよびそれをスキャンしたラスタービームの２種類を用いて，P LVV, In MNN のデプスプロファイルを取得した．その結果，スポットビームで測定した P LVV の深さ分解能は分析深さに依存せずほぼ一定であった．そして，各界面における深さ分解能は２３機関でよい一致が見られた．また，分析後の表面凹凸が小さい試料ほど深さ分解能は優れていた．しかし，深さ分解能とイオン電流密度，オージェ電子脱出深さとの関係についてはメーカーおよび装置別に一様な関係を見い出せなかった．この要因は，イオンスパッタリングによる表面あれおよびアトミックミキシングの大きさが測定条件および装置の仕様により異なるためと考えられる．

権利情報:

キーワード: Auger Depth Profiling Analysis, InP/GaInAs Specimen, Round Robin Test

刊行年月日: 1995-11-16

出版者: Surface Analysis Society of Japan

掲載誌:

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3047

公開URL: http://www.sasj.jp/JSA/CONTENTS/vol.1_3/Vol.1%20No.3/Vol.1%20No.3%20374-387.pdf

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2022-10-03 01:55:14 +0900

MDRでの公開時刻: 2021-08-13 01:20:03 +0900