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試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析
MDR Open Deposited
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオージェピークはSi LVV および O KLL である．その結果，常温における深さ分解能は電子線電流密度に依存し，高いほど低下した．一方，試料冷却法を併用した場合には，深さ分解能の値は 3.8~5.8 nm であり，優れた深さ分解能で測定が可能であった．試料冷却法を併用したAES深さ方向分析は電子線照射によるダメージを抑制できる手法と考えられる．
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- First published at
- Creator
- Keyword
- Resource type
- Material/Specimen
- SiO2:103nm/Si-Substrate
- Publisher
- Date published
- 08/02/1996
- Rights statement
- Licensed Date
- 07/12/1995
- Journal
- Manuscript type
- Version of record (Published version)
- Language
- Last modified
- 26/07/2021
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Vol.2_No.1_59-64.pdf | 26/07/2021 | 217 KB | MDR Open |
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