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Filtering by: Author Tanuma, Shigeo Keyword Auger Depth Profiling Analysis Material/Specimen SiO2:103nm/Si-Substrate

Description/Abstract:: 試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオー...
Keyword:: Auger Depth Profiling Analysis, Sample Cooling Method, and SiO2/Si
Material/Specimen:: SiO2:103nm/Si-Substrate
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 26/07/2021
Date Modified:: 26/07/2021

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