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Monolayer indium selenide: an indirect bandgap material exhibits efficient brightening of dark excitons
- ジャーナル論文
- 著者
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;Naomi Tabudlong Paylaga (author) (この著者で検索);Chang-Ti Chou (author) (この著者で検索);Chia-Chun Lin (author) (この著者で検索)Takashi Taniguchi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Kenji Watanabe (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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;Raman Sankar (author) (この著者で検索);Yang-hao Chan (author) (この著者で検索);Shao-Yu Chen (author) (この著者で検索)Wei-Hua Wang (author) (この著者で検索) - キーワード
- Atomically thin, InSe, dark excitons
- 刊行年月日
- 2024-02-20
- 更新時刻
- 2025-02-28 08:30:58 +0900
Interfacial Elemental Analysis of Slanted Edge-Contacted Monolayer MoS2 Transistors via Directionally Angled Etching
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Chia-Chun Lin (author) (この著者で検索);Naomi Tabudlong Paylaga (author) (この著者で検索);Chun-Chieh Yen (author) (この著者で検索);Yu-Hsuan Lin (author) (この著者で検索);Kuang-Hsu Wang (author) (この著者で検索)Kenji Watanabe (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Takashi Taniguchi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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;Chi-Te Liang (author) (この著者で検索);Shao-Yu Chen (author) (この著者で検索)Wei-Hua Wang (author) (この著者で検索)
- キーワード
- edge contacts , MoS2 transistors , interfacial analysis
- 刊行年月日
- 2025-02-04
- 更新時刻
- 2026-03-10 12:30:24 +0900