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Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
- ジャーナル論文
- 著者
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Yuhua Tsai (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Masaaki Kobata (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-9710-6308
(unauthenticated)
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Tatsuo Fukuda (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-4832-5862
(unauthenticated)
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Hajime Tanida (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0002-8468-7315
(unauthenticated)
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;Toru Kobayashi (author) (この著者で検索)Yoshiyuki Yamashita (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Ga2O3, dopant, b-Ga2O3
- 刊行年月日
- 2024-03-11
- 更新時刻
- 2024-03-19 12:30:20 +0900
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
- ジャーナル論文
- 著者
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Takayoshi Oshima (author) (この著者で検索)
- キーワード
- Ga2O3, TMAH, Wet etching
- 刊行年月日
- 2025-08-01
- 更新時刻
- 2025-08-18 16:30:36 +0900