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A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures
- ジャーナル論文
- 著者
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Masahiro Hara (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0001-9748-8011
(unauthenticated)
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Toshihide Nabatame (author) (この著者で検索)
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Yoshihiro Irokawa (author) (この著者で検索)
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;Tomomi Sawada (author) (この著者で検索);Manami Miyamoto (author) (この著者で検索);Hiromi Miura (author) (この著者で検索);Tsunenobu Kimoto (author) (この著者で検索)Yasuo Koide (author) (この著者で検索) - キーワード
- GaN
- 刊行年月日
- 2025-05-07
- 更新時刻
- 2025-05-08 12:30:16 +0900
[Research Highlights Vol.68] New GaN MEMS Resonator Is Temperature-Stable up to 600 K
- 雑誌
- コレクション
- Research Highlights
- 著者
-
International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA) (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- GaN, MEMS, NEMS, energy storage, temperature coefficient of frequency, AlN, Si, Strain
- 刊行年月日
- 2021-07-13
- 更新時刻
- 2023-12-26 21:38:08 +0900