Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

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Takashi Shinohe

キーワード

α-Ga2O3, HVPE

刊行年月日

2020-05-01

更新時刻

2024-01-22 09:40:57 +0900