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Characterization of Vacancy-Type Defects in Mg- and N-Implanted GaN by using a Monoenergetic Positron Beam
- プロシーディングス論文
- 著者
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;Akira Uedono (author) (この著者で検索);Ryo Tanaka (author) (この著者で検索);Shinya Takashima (author) (この著者で検索);Katsunori Ueno (author) (この著者で検索);Masaharu Edo (author) (この著者で検索);Kohei Shima (author) (この著者で検索);Shigefusa F. Chichibu (author) (この著者で検索)Jun Uzuhashi (author) (この著者で検索)
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Tadakatsu Ohkubo (author) (この著者で検索)
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;Shoji Ishibashi (author) (この著者で検索);Kacper Sierakowski (author) (この著者で検索)Michal Bockowski (author) (この著者で検索) - キーワード
- gallium nitride
- 刊行年月日
- 2025-06-04
- 更新時刻
- 2025-09-17 16:30:20 +0900
Development of p-type Ion Implantation Technique for Realization of GaN Vertical MOSFETs
- プロシーディングス論文
- 著者
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;Ryo Tanaka (author) (この著者で検索)Fuji Electric Co., Ltd.;Shinya Takashima (author) (この著者で検索)Fuji Electric Co., Ltd.;Katsunori Ueno (author) (この著者で検索)Fuji Electric Co., Ltd.;Masahiro Horita (author) (この著者で検索)Nagoya Univ.;Jun Suda (author) (この著者で検索)Nagoya Univ.Jun Uzuhashi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Tadakatsu Ohkubo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Masaharu Edo (author) (この著者で検索)Fuji Electric Co., Ltd.
- キーワード
- gallium nitride, atom probe tomography, transmission electron microscopy
- 刊行年月日
- 2023-06-08
- 更新時刻
- 2024-04-19 12:30:23 +0900