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ホウ素ドープダイヤモンド金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、厚さ150 nmのエピタキシャル層上に作製された。しきい値電圧は−8.0 Vと測定され、ノーマリーオフ動作を示すことが確認された。さらに、本MOSFETの絶対破壊電圧および破壊電界は、それぞれ1718 Vおよび1.52 MV/cmであることが明らかとなった。

Rights:

• In Copyright
  

Keyword: diamond

Date published: 2026-01-25

Publisher: 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

• NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 42 issue. 1

Funding:

Manuscript type: Author's version (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6410

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-160.html

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Updated at: 2026-07-21 17:18:19 +0900

Published on MDR: 2026-07-15 16:30:53 +0900