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コレクション

引用

説明:

ホウ素ドープダイヤモンド金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、厚さ150 nmのエピタキシャル層上に作製された。しきい値電圧は−8.0 Vと測定され、ノーマリーオフ動作を示すことが確認された。さらに、本MOSFETの絶対破壊電圧および破壊電界は、それぞれ1718 Vおよび1.52 MV/cmであることが明らかとなった。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: diamond

刊行年月日: 2026-01-25

出版者: 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム

掲載誌:

• NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 42 issue. 1

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6410

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-160.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-07-21 17:18:19 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-07-15 16:30:53 +0900