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コレクション

引用

説明:

Two-dimensional layered semiconductors, i.e., germanium monosulfide (GeS), have been considered as one of the candidates for developing next-generation functional electronics and optoelectronics. Previously, lateral growth of GeS thin films using the pre-deposited amorphous GeS method and fabrication of GeS field-effect transistors (FETs) have been investigated. In this study, observation of the birefringent behavior in grown GeS thin films is demonstrated using the cross-polarizer of the optical microscope.

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: GeS

刊行年月日: 2025-01-23

出版者: 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–

掲載誌:

会議: 第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ― 材料・プロセス・デバイス特性の物理 ― (EDIT 30) (2025-01-22 - 2025-01-24)

研究助成金:

• JSPS JP20K14796
• JSPS JP23K13370
• JSPS JP24KF0164

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5405

公開URL: https://edit-ws.jp/program/

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2025-04-10 21:47:09 +0900

MDRでの公開時刻: 2025-04-07 22:19:36 +0900