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試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオージェピークはSi LVV および O KLL である．その結果，常温における深さ分解能は電子線電流密度に依存し，高いほど低下した．一方，試料冷却法を併用した場合には，深さ分解能の値は 3.8~5.8 nm であり，優れた深さ分解能で測定が可能であった．試料冷却法を併用したAES深さ方向分析は電子線照射によるダメージを抑制できる手法と考えられる．

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Keyword: Auger Depth Profiling Analysis, SiO2/Si, Sample Cooling Method

Date published: 1996-02-08

Publisher: Surface Analysis Society of Japan

Journal:

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Manuscript type: Author's version (Submitted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3045

First published URL: http://www.sasj.jp/JSA/CONTENTS/vol.2_1/Vol.2%20No.1/Vol.2%20No.1%2059-64.pdf

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Updated at: 2022-10-03 01:39:59 +0900

Published on MDR: 2021-08-13 01:20:00 +0900