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コレクション

引用

説明:

試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオージェピークはSi LVV および O KLL である．その結果，常温における深さ分解能は電子線電流密度に依存し，高いほど低下した．一方，試料冷却法を併用した場合には，深さ分解能の値は 3.8~5.8 nm であり，優れた深さ分解能で測定が可能であった．試料冷却法を併用したAES深さ方向分析は電子線照射によるダメージを抑制できる手法と考えられる．

権利情報:

キーワード: Auger Depth Profiling Analysis, SiO2/Si, Sample Cooling Method

刊行年月日: 1996-02-08

出版者: Surface Analysis Society of Japan

掲載誌:

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3045

公開URL: http://www.sasj.jp/JSA/CONTENTS/vol.2_1/Vol.2%20No.1/Vol.2%20No.1%2059-64.pdf

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2022-10-03 01:39:59 +0900

MDRでの公開時刻: 2021-08-13 01:20:00 +0900