劉 江偉
(電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/次世代半導体グループ, 物質・材料研究機構
)
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寺地 徳之
(電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ, 物質・材料研究機構)
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達 博
(マテリアル基盤研究センター/先端解析分野/量子ビーム回折グループ, 物質・材料研究機構)
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小出 康夫
(電子・光機能材料研究センター, 物質・材料研究機構)
Collection
Citation
Description:
(abstract)ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を平坦なダイヤモンドエピタキシャル層上に作製した。500℃のアニール前後の電気特性からトランジスタ動作を確認した。ドレイン電流と相互コンダクタンスの最大値は、これまでに報告されたホウ素ドープダイヤモンドMOSFETの値を5～10倍上回り、最高性能を達成した。
Rights:
Keyword: Boron-doped diamond
Date published: 2024-01-25
Publisher: 一般社団法人 ニューダイヤモンドフィーラム
Journal:
- NEW DIAMOND 誌 (ISSN: 13404792) vol. 40 issue. 1 p. 19-21
Funding:
Manuscript type: Author's version (Submitted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5048
First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-152.html
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Contact agent:
Updated at: 2024-11-29 16:30:52 +0900
Published on MDR: 2024-11-29 16:30:54 +0900
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