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ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を平坦なダイヤモンドエピタキシャル層上に作製した。500℃のアニール前後の電気特性からトランジスタ動作を確認した。ドレイン電流と相互コンダクタンスの最大値は、これまでに報告されたホウ素ドープダイヤモンドMOSFETの値を5～10倍上回り、最高性能を達成した。

Rights:

• In Copyright
  

Keyword: Boron-doped diamond

Date published: 2024-01-25

Publisher: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフィーラム

Journal:

• NEW DIAMOND 誌 (ISSN: 13404792) vol. 40 issue. 1 p. 19-21

Funding:

Manuscript type: Author's version (Submitted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5048

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-152.html

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Updated at: 2024-11-29 16:30:52 +0900

Published on MDR: 2024-11-29 16:30:54 +0900