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コレクション

引用

説明:

ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を平坦なダイヤモンドエピタキシャル層上に作製した。500℃のアニール前後の電気特性からトランジスタ動作を確認した。ドレイン電流と相互コンダクタンスの最大値は、これまでに報告されたホウ素ドープダイヤモンドMOSFETの値を5～10倍上回り、最高性能を達成した。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: Boron-doped diamond

刊行年月日: 2024-01-25

出版者: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフィーラム

掲載誌:

• NEW DIAMOND 誌 (ISSN: 13404792) vol. 40 issue. 1 p. 19-21

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5048

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-152.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-11-29 16:30:52 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-11-29 16:30:54 +0900