ジャーナル論文 ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ
劉 江偉 (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/次世代半導体グループ
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寺地 徳之 (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0002-7731-0547
物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ
SAMURAI NIMS Researchers Directory SAMURAI
ORCID SAMURAI ;
達 博 (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0002-0785-8662
物質・材料研究機構 マテリアル基盤研究センター/先端解析分野/量子ビーム回折グループ
SAMURAI NIMS Researchers Directory SAMURAI
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小出 康夫 (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0001-8321-9822
物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター
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コレクション

引用
劉 江偉, 寺地 徳之, 達 博, 小出 康夫. ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND 誌. 2024, 40 (1), 19-21. https://doi.org/10.48505/nims.5048
SAMURAI

説明:

(abstract)

ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を平坦なダイヤモンドエピタキシャル層上に作製した。500℃のアニール前後の電気特性からトランジスタ動作を確認した。ドレイン電流と相互コンダクタンスの最大値は、これまでに報告されたホウ素ドープダイヤモンドMOSFETの値を5～10倍上回り、最高性能を達成した。

権利情報:

キーワード: Boron-doped diamond

刊行年月日: 2024-01-25

出版者: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフィーラム

掲載誌:

  • NEW DIAMOND 誌 (ISSN: 13404792) vol. 40 issue. 1 p. 19-21

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5048

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-152.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-11-29 16:30:52 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-11-29 16:30:54 +0900

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