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Alternative title: High-Mobility Transistor Based on a Hydrogen-Terminated Diamond/h-BN Heterostructure

Description:

ダイヤモンドは、他の主要なワイドギャップ半導体にはない高い正孔移動度という際立った特徴を有する。その高い正孔移動度は、pチャネルの高移動度電界効果トランジスタ(FET)の作製に有利である。しかし、これまでに報告されてきたpチャネルのダイヤモンドFETの正孔移動度の多くは、バルクのダイヤモンドの値よりも1桁以上低く、ダイヤモンド本来の高い正孔移動度が活かされていなかった。我々は、高品質な水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素(h-BN)ヘテロ構造を利用することによって、室温において1000 cm^2/(Vs)に達する高い正孔移動度を得ることに成功した。我々の研究は、水素終端ダイヤモンドがFET材料として高いポテンシャルを有していることを示している。

Rights:

• In Copyright
  

Keyword: ダイヤモンド, 電界効果トランジスタ

Date published: 2026-04-25

Publisher: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

• NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 42 issue. 2

Funding:

Manuscript type: Author's version (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6448

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-161.html

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Updated at: 2026-08-17 10:14:15 +0900

Published on MDR: 2026-08-17 12:29:10 +0900