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コレクション

引用

代替タイトル: High-Mobility Transistor Based on a Hydrogen-Terminated Diamond/h-BN Heterostructure

説明:

ダイヤモンドは、他の主要なワイドギャップ半導体にはない高い正孔移動度という際立った特徴を有する。その高い正孔移動度は、pチャネルの高移動度電界効果トランジスタ(FET)の作製に有利である。しかし、これまでに報告されてきたpチャネルのダイヤモンドFETの正孔移動度の多くは、バルクのダイヤモンドの値よりも1桁以上低く、ダイヤモンド本来の高い正孔移動度が活かされていなかった。我々は、高品質な水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素(h-BN)ヘテロ構造を利用することによって、室温において1000 cm^2/(Vs)に達する高い正孔移動度を得ることに成功した。我々の研究は、水素終端ダイヤモンドがFET材料として高いポテンシャルを有していることを示している。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: ダイヤモンド, 電界効果トランジスタ

刊行年月日: 2026-04-25

出版者: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

掲載誌:

• NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 42 issue. 2

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6448

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-161.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-08-17 10:14:15 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-08-17 12:29:10 +0900