論文 X線・中性子小角散乱法及び3次元アトムプローブ法による Cu-Ni-Si合金中のδNi2Si析出相の解析

佐々木 宏和 (古河電気工業株式会社) ; 秋谷 俊太 (古河電気工業株式会社) ; 三原 邦照 (古河電気工業株式会社) ; 大場 洋次郎 (豊橋技術科学大学) ; 大沼 正人 (北海道大学) ; 埋橋 淳 SAMURAI ORCID (物質・材料研究機構) ; 大久保 忠勝 SAMURAI ORCID (物質・材料研究機構)

コレクション

引用
佐々木 宏和, 秋谷 俊太, 三原 邦照, 大場 洋次郎, 大沼 正人, 埋橋 淳, 大久保 忠勝. X線・中性子小角散乱法及び3次元アトムプローブ法による Cu-Ni-Si合金中のδNi2Si析出相の解析. Journal of Japan Institute of Copper. , 62 (1), 85-89. https://doi.org/10.34562/jic.62.1_85
SAMURAI

代替タイトル: Characterization of δNi2Si precipitates in Cu-Ni-Si alloy by small angle x-ray scattering, small angle neutron scattering and atom probe tomography

説明:

(abstract)

The strength of Cu-Ni-Si alloy can be improved by finely dispersing a Ni-Si-based compound as a precipitate into the Cu parent phase by heat treatment. In order to investigate the strengthening effect of the precipitate, quantitative evaluation of the size distribution and dispersion state is necessary. In this work, we utilized transmission electron microscopy, small-angle X-ray scattering (SAXS), small-angle neutron scattering (SANS), and atom probe tomography to analyze this Ni-Si precipitated phase. The atom probe tomography results showed two types of the diffusion layers at the interface between the Cu parent phase and the precipitated phases. The alloy contrast variation method based on the difference of SAXS and SANS intensity in absolute units suggests that the δNi2Si precipitates are distorted.

権利情報:

キーワード: atom probe tomography, transmission electron microscopy, Corson alloy

刊行年月日:

出版者: 日本銅学会

掲載誌:

  • Journal of Japan Institute of Copper (ISSN: 13477234) vol. 62 issue. 1 p. 85-89

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.4326

公開URL: https://doi.org/10.34562/jic.62.1_85

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更新時刻: 2024-01-30 09:51:05 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-01-30 12:30:14 +0900

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ファイル名 X線・中性子小角散乱法及び3次元アトムプローブ法によるCu-Ni-Si合金中のδNi2Si析出相の解析.pdf (サムネイル)
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