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コレクション

引用

代替タイトル: Characteristics and Fabrication of HfZrO2 Ferroelectric Thin Film Using ALD-（ZrO2）/（HfO2）Laminate

説明:

半導体デバイスで注目されているHfZrO2 強誘電体膜について取り上げ，（ZrO2）/（HfO2）ラミネート構造で，1 ユニットの（ZrO2）/（HfO2）層の膜厚が結晶構造および強誘電体性へ大きな影響を及ぼすことを明らかにした．特に、1 ユニットの（ZrO2）/（HfO2）層の膜厚が0.2 nm以上で、熱処理温度が400℃より強誘電体特性を示すことが分かった。これらのデータを基に考えると、低温度で強誘電性を示すHfZrO2 膜を安定形成するために，Hf/Zr カクテル原料のALD が優れている事を再認識した．Zr およびHf のALD 原料は数多くあり，今後も引き続き，半導体デバイスのアプリケーションに対応して使い分ける事が重要である．

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: ALD, HfZrO2 ferroelectric, (ZrO2)/(HfO2) laminate, Orthorhombic phase

刊行年月日: [2026年10月]

出版者: Ceramic Society of Japan

掲載誌:

• セラミックス (ISSN: 0009031X) vol. 61 p. 702-706

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://member.ceramic.or.jp/journal/vol_no/61/10/61_10.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-10-15 13:49:43 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-10-15 16:29:44 +0900