ジャーナル論文 Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
Yuhua Tsai (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0001-7996-6681
National Institute for Materials Science
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Masaaki Kobata (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0002-9710-6308 (unauthenticated)
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Tatsuo Fukuda (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0002-4832-5862 (unauthenticated)
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Hajime Tanida (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0009-0002-8468-7315 (unauthenticated)
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Toru Kobayashi (author) (この著者で検索)
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Yoshiyuki Yamashita (author) (この著者で検索)
ORCID https://orcid.org/0000-0003-0994-8095
National Institute for Materials Science
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ORCID SAMURAI
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コレクション

引用
Yuhua Tsai, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Hajime Tanida, Toru Kobayashi, Yoshiyuki Yamashita. Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001). Applied Physics Letters. 2024, 124 (11), . https://doi.org/10.1063/5.0198160
SAMURAI

説明:

(abstract)

Snドープ β-Ga2O3(001)のドーパントの原子位置を光電子ホログラフィ法により明らかにした。

権利情報:

キーワード: Ga2O3, dopant, b-Ga2O3

刊行年月日: 2024-03-11

出版者: AIP Publishing

掲載誌:

  • Applied Physics Letters (ISSN: 00036951) vol. 124 issue. 11

研究助成金:

  • Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology JPMXP1223AE0025
  • Japan Atomic Energy Agency 2023B-E09

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.4444

公開URL: https://doi.org/10.1063/5.0198160

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-03-19 12:30:20 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-03-19 12:30:20 +0900

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