資源タイプ: proceedings_article キーワード: atom probe tomography
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Development of p-type Ion Implantation Technique for Realization of GaN Vertical MOSFETs.pdf
Development of p-type Ion Implantation Technique for Realization of GaN Vertical MOSFETs
プロシーディングス
著者
Ryo Tanaka ; Shinya Takashima ; Katsunori Ueno ; Masahiro Horita ; Jun Suda ; Jun Uzuhashi SAMURAI ORCID ; Tadakatsu Ohkubo SAMURAI ORCID ; Masaharu Edo
キーワード
gallium nitride, atom probe tomography, transmission electron microscopy
刊行年月日
2023-06-08
更新時刻
2024-04-19 12:30:23 +0900