2 件のレコードが見つかりました。
Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation
- ジャーナル論文
- 著者
-
;Hironori Okumura (author) (この著者で検索);Yohei Ogawara (author) (この著者で検索);Manabu Togawa (author) (この著者で検索);Masaya Miyahara (author) (この著者で検索);Tadaaki Isobe (author) (この著者で検索);Kosuke Itabashi (author) (この著者で検索);Jiro Nishinaga (author) (この著者で検索)Masataka Imura (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
- キーワード
- Schottky barrier diode, MOCVD, Vertical-type PN junction diode, Proton, Xe, Radiation irradiations, GaN
- 刊行年月日
- 2023-06-01
- 更新時刻
- 2024-08-24 08:30:18 +0900
High-pressure MOCVD growth of InGaN thick films toward the photovoltaic applications
- ジャーナル論文
- 著者
-
Liwen Sang (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
Meiyong Liao (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
Masatomo Sumiya (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
;
;Xuelin Yang (author) (この著者で検索)Bo Shen (author) (この著者で検索)
- キーワード
- High-pressure, MOCVD, InGaN
- 刊行年月日
- 2021-12-01
- 更新時刻
- 2024-12-17 16:30:45 +0900