ライセンス: Creative Commons BY Attribution 4.0 International キーワード: Wet etching
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jjap_64_8_088001.pdf
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
論文
著者
Takayoshi Oshima SAMURAI ORCID
キーワード
Ga2O3, TMAH, Wet etching
刊行年月日
2025-08-01
更新時刻
2025-08-18 16:30:36 +0900