資源タイプ: プロシーディングス論文 キーワード: atom probe tomography
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Development of p-type Ion Implantation Technique for Realization of GaN Vertical MOSFETs.pdf
Development of p-type Ion Implantation Technique for Realization of GaN Vertical MOSFETs
プロシーディングス論文
著者
Ryo Tanaka (author) (この著者で検索)
Fuji Electric Co., Ltd.
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Shinya Takashima (author) (この著者で検索)
Fuji Electric Co., Ltd.
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Katsunori Ueno (author) (この著者で検索)
Fuji Electric Co., Ltd.
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Masahiro Horita (author) (この著者で検索)
Nagoya Univ.
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Jun Suda (author) (この著者で検索)
Nagoya Univ.
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Jun Uzuhashi (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Tadakatsu Ohkubo (author) (この著者で検索)
National Institute for Materials Science
ORCID SAMURAI ;
Masaharu Edo (author) (この著者で検索)
Fuji Electric Co., Ltd.
キーワード
gallium nitride, atom probe tomography, transmission electron microscopy
刊行年月日
2023-06-08
更新時刻
2024-04-19 12:30:23 +0900