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配位子設計による前駆体反応性の制御は、III–V族量子ドットのコロイド合成における重要課題である。特にInSb量子ドットは危険な金属水素化物還元剤と前駆体不足により合成が困難であった。本研究では金属還元剤を用いず、SbCl3の配位環境により還元剤またはP(−III)源として機能が変わるP(NMe2)3を用いる手法を報告する。Sb-オレイルアミン錯体ではSbとInを還元し高純度InSbを生成し、Sb-TOP錯体ではTOP酸化由来電子と併せてIn還元とP(−III)生成が進み、InP1−xSbxの制御合金化が可能となる。

Rights:

• Creative Commons BY Attribution 4.0 International
  

Keyword: Indium antimonide, colloidal quantum dots, Short-wavelength Infrared (SWIR), III-V semiconductor nanocrystals, Photoluminescence, Photodiodes, Solution-processed devices

Date published: 2026-04-14

Publisher: American Chemical Society (ACS)

Journal:

• Chemistry of Materials (ISSN: 08974756) vol. 38 issue. 7 p. 3486-3495

Funding:

• Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology JPMXP1224NM5178
• Hosokawa Powder Technology Foundation HPTF24111
• Japan Society for the Promotion of Science 24K01278
• Japan Society for the Promotion of Science 24K01462
• Japan Society for the Promotion of Science 24K21720
• Japan Society for the Promotion of Science 25K22207

Manuscript type: Publisher's version (Version of record)

MDR DOI:

First published URL: https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.5c03273

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Updated at: 2026-04-17 09:52:05 +0900

Published on MDR: 2026-04-17 12:26:59 +0900