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コレクション

引用

説明:

配位子設計による前駆体反応性の制御は、III–V族量子ドットのコロイド合成における重要課題である。特にInSb量子ドットは危険な金属水素化物還元剤と前駆体不足により合成が困難であった。本研究では金属還元剤を用いず、SbCl3の配位環境により還元剤またはP(−III)源として機能が変わるP(NMe2)3を用いる手法を報告する。Sb-オレイルアミン錯体ではSbとInを還元し高純度InSbを生成し、Sb-TOP錯体ではTOP酸化由来電子と併せてIn還元とP(−III)生成が進み、InP1−xSbxの制御合金化が可能となる。

権利情報:

• Creative Commons BY Attribution 4.0 International
  

キーワード: Indium antimonide , colloidal quantum dots, Short-wavelength Infrared (SWIR), III-V semiconductor nanocrystals, Photoluminescence, Photodiodes, Solution-processed devices

刊行年月日: 2026-04-14

出版者: American Chemical Society (ACS)

掲載誌:

• Chemistry of Materials (ISSN: 08974756) vol. 38 issue. 7 p. 3486-3495

研究助成金:

• Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology JPMXP1224NM5178
• Hosokawa Powder Technology Foundation HPTF24111
• Japan Society for the Promotion of Science 24K01278
• Japan Society for the Promotion of Science 24K01462
• Japan Society for the Promotion of Science 24K21720
• Japan Society for the Promotion of Science 25K22207

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.5c03273

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-04-17 09:52:05 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-04-17 12:26:59 +0900