説明:
(abstract)Employing time-resolved Kerr rotation microscopy, we demonstrate electrical control over the orientation of the persistent spin helix in a double GaAs quantum well structure equipped with independent front and back gates. We map spin polarization patterns under varying gate voltages and show that coordinated tuning of two gates enables switching between two orthogonal persistent spin helix (PSH) orientations.
権利情報:
©2026 American Physical Society
キーワード: GaAs, Quantum well, Persistent spin helix
刊行年月日: 2026-03-19
出版者: American Physical Society (APS)
掲載誌:
研究助成金:
原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6242
公開URL: https://doi.org/10.1103/m4cv-6cyt
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連絡先:
更新時刻: 2026-04-03 09:04:16 +0900
MDRでの公開時刻: 2026-04-03 12:26:45 +0900
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(サムネイル)
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