ジャーナル論文 Charge transport and thermopower in the electron-doped narrow gap semiconductor Ca1−xLaxPd3O4
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National Institute for Materials Science
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National Institute for Materials Science
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ORCID https://orcid.org/0000-0003-2140-3362
National Institute for Materials Science
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ORCID https://orcid.org/0000-0003-0390-8244
National Institute for Materials Science
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コレクション

引用
Kouta Kazama, Masato Sakano, Kohei Yamagami, Takuo Ohkochi, Kyoko Ishizaka, Terumasa Tadano, Yusuke Kozuka, Hidetoshi Yoshizawa, Yoshihiro Tsujimoto, Kazunari Yamaura, Jun Fujioka. Charge transport and thermopower in the electron-doped narrow gap semiconductor Ca1−xLaxPd3O4. Physical Review Materials. 2023, 7 (8), 85402. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.7.085402

説明:

(abstract)

狭ギャップ半導体であるCa1-xLaxPd3O4の輸送特性、熱電特性、電子状態計測を行った。x=0では0.1eV程度のバンドギャップを持ち、第一原理計算と一致した。また、Laによる電子ドープにより急激に抵抗は減少しx=0.01では金属的になった。一方で、ゼーベック係数はxに対して緩やかに減少した。パワーファクターは7μW/K2に達し、ホールドープCaPd3O4に比べて格段に大きな値であった。第一原理計算と光電子分光によって、高移動度に起因することを明らかにした。

権利情報:

キーワード: Palladates

刊行年月日: 2023-08-11

出版者: American Physical Society (APS)

掲載誌:

  • Physical Review Materials (ISSN: 24759953) vol. 7 issue. 8 85402

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.7.085402

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-01-05 22:13:52 +0900

MDRでの公開時刻: 2023-12-02 13:30:27 +0900

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