Continuous real-time O 1s core XPS spectra of initial O<sub>2</sub> molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN

SUMIYA, Masatomo

doi:10.1021/acs.jpcc.0c07151

データセット Continuous real-time O 1s core XPS spectra of initial O₂ molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN

SUMIYA, Masatomo (National Institute for Materials Science)

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SUMIYA, Masatomo. Continuous real-time O 1s core XPS spectra of initial O₂ molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c07151

(BibTeX)

説明:

(abstract)

The initial adsorption behavior of different GaN surfaces (the polar Ga-face (+c) and N-face (−c) and the nonpolar (101̅0) (m)-plane) under O₂ molecule beam irradiation was studied by continuous real-time monitoring of the O 1s core X-ray photoelectron spectra generated under synchrotron radiation. XPS measurements were performed at BL23SU, SPring-8. Analyzing the chemical shift allows for determining which site the oxygen atom bonds to depending on the polarity and plane of GaN, which contributes to detailed understanding of the surface oxidation process. The first column of each scan is the kinetic energy, and the second column is the count rate. Before starting XPS analysis, the sample was annealed at 900 °C for 20 minutes. A scan was obtained every 30 seconds while irradiating the surface with O₂ molecule beam. The data are in CSV and VAMAS formats.

データの性質: other

権利情報:

Creative Commons BY Attribution 4.0 International
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キーワード: GaN, Gallium nitride, Oxidation, Adsorption, XPS, SPring-8

刊行年月日: 2020-11-19

出版者: NIMS

掲載誌:

研究助成金:

原稿種別: 論文以外のデータ

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3847

公開URL: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c07151

関連資料:

is_supplement_to

Dynamic Observation and Theoretical Analysis of Initial O2 Molecule Adsorption on Polar and m-Plane Surfaces of GaN (dataset)
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c07151

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-01-05 22:13:22 +0900

MDRでの公開時刻: 2023-02-14 09:41:28 +0900

Chemical composition / 試料の化学組成

Specimen ID / 試料ID :

Description / 化学組成の説明 : Gallium nitride

Category / カテゴリ :

Category description / カテゴリの説明 :

Chemical composition ID / 組成ID : 25617-97-4

Instrument / 装置

Name / 装置の名称 : BL23_XPS

Manufacturer / 装置製作者 :

Model number / 型番 :

Description / 装置の説明 :

Function / 機能 :

Function description / 機能の説明 :

Instrument ID / 装置ID :

Instrument operator / 装置操作者 :

Instrument managing organization / 装置管理組織 :

Measurement method / 計測法

Description / 説明 :

Category / カテゴリ : X線光電子分光法

Category description / カテゴリの説明 :

Analysis field / 解析分野 :

Analysis field description / 解析分野の説明 :

Measurement environment / 計測環境 :

Standarized procedure / 標準手順 :

Measured at / 計測時刻 :

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ファイル名	GaN_O2.jpg (サムネイル) image/jpeg	サイズ	450KB	詳細