International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA)
(National Institute for Materials Science)
説明:
(abstract)MANA researchers have devised a way to control the carrier density in various materials under high pressure by combining an electric double-layer transistor (EDLT) with a diamond anvil cell (DAC) and applying the resulting EDLT-DAC to thin films.
権利情報:
キーワード: Electric Double Layer, Field-Effect transistor, High pressure, Diamond, Bi, Ionic liquid
刊行年月日: 2021-03-19
出版者: National Institute for Materials Science
掲載誌:
研究助成金:
原稿種別: 出版者版 (Version of record)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.3806
公開URL: https://www.nims.go.jp/mana/research/highlights/vol66.html
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2023-12-26 21:35:16 +0900
MDRでの公開時刻: 2022-12-16 13:35:51 +0900
| ファイル名 | サイズ | |||
|---|---|---|---|---|
| ファイル名 |
[Vol. 66]New EDLT-DAC Provides Insights Into High-Pressure Environments_ WPI-MANA.pdf
(サムネイル)
application/pdf |
サイズ | 118KB | 詳細 |