論文 Bias voltage effects on tunneling magnetoresistance in Fe/MgAl2O4/Fe(001) junctions: Comparative study with Fe/MgO/Fe(001) junctions

Keisuke Masuda SAMURAI ORCID (National Institute for Materials Science) ; Yoshio Miura SAMURAI ORCID (National Institute for Materials Science)

コレクション

引用
Keisuke Masuda, Yoshio Miura. Bias voltage effects on tunneling magnetoresistance in Fe/MgAl2O4/Fe(001) junctions: Comparative study with Fe/MgO/Fe(001) junctions. Physical Review B. 2017, 96 (5), 054428.
SAMURAI

説明:

(abstract)

スピネルバリアを用いた磁気トンネル接合Fe/MgAl2O4/Feの電圧特性を理論的に解析し、その結果をFe/MgO/Feの電圧特性と比較した。その結果、Fe/MgAl2O4/Feでは電極でのバンド折りたたみが起こるため、磁気抵抗比の電圧耐性がFe/MgO/Feよりも高くなることがわかった。

権利情報:

キーワード: Tunnel magnetoresistance, Magnetic tunnel junction, Spinel, Spintronics

刊行年月日: 2017-08-21

出版者: American Physical Society (APS)

掲載誌:

  • Physical Review B (ISSN: 1550235X) vol. 96 issue. 5 054428

研究助成金:

  • Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology 16H06332
  • Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology 16H03852
  • Council for Science, Technology and Innovation 2014-PM04-17-01

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1103/physrevb.96.054428

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更新時刻: 2024-04-11 16:30:40 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-04-11 16:30:40 +0900

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