説明:
(abstract)Emergence of superconductivity in Th 3 P 4 -type Sn 3 Se 4 and Ge 3 S 4 under high pressure synthesized by diamond anvil cell with boron-doped diamond electrodesについて
権利情報:
キーワード: High pressure, superconductivity, diamond
刊行年月日: 2026-12-31
出版者: Informa UK Limited
掲載誌:
研究助成金:
原稿種別: 出版者版 (Version of record)
MDR DOI:
公開URL: https://doi.org/10.1080/14686996.2026.2705815
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連絡先:
更新時刻: 2026-08-25 15:57:43 +0900
MDRでの公開時刻: 2026-08-25 18:24:44 +0900
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| ファイル名 |
Emergence of superconductivity in Th3P4-type Sn3Se4 and Ge3S4 under high pressure synthesized by diamond anvil cell with boron-doped diamond electrode.pdf
(サムネイル)
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サイズ | 5.22MB | 詳細 |