Download file (3.31MB)
Download as zip (2.41MB)

コレクション

引用

代替タイトル: Backscattering Correction for Auger electron spectroscopy.I. Development of an improved backscattering correction equation for wide analytical conditions.

説明:

AESによる表面定量分析において重要な電子の背面散乱について検討した．電子の背面散乱係数の入射角度依存性，およびそのエネルギーの平均値および中央値について，モンテカルロ(MC)法を用いてBe, B, C, Al, Si, Cu, Zr, Ag, La, Auの10種類の元素について検討し，電子の背面散乱係数の入射角度依存性を明らかにした．この電子の背面散乱係数をもちいて，加速電圧3- 30keV，電子線入射角度0 - 60度で使用可能な背面散乱補正係数の一般式を開発した．ここで提案した背面散乱補正係数の一般式は広いエネルギー範囲，広い電子線入射角度で使用することができる考えられる．

権利情報:

• Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International
  

キーワード: Auger electron spectroscopy, AES, electron backscattering correction, predictive formula for back scattering correction

刊行年月日: 2018-10-19

出版者: 一般社団法人　表面分析研究会

掲載誌:

• JOURNAL OF SURFACE ANALYSIS (ISSN: 13411756) vol. 14 issue. 1 p. 9-19

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1384/jsa.14.9

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-01-05 22:13:01 +0900

MDRでの公開時刻: 2023-06-29 13:30:18 +0900