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Alternative title: Backscattering Correction for Auger electron spectroscopy.I. Development of an improved backscattering correction equation for wide analytical conditions.

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AESによる表面定量分析において重要な電子の背面散乱について検討した．電子の背面散乱係数の入射角度依存性，およびそのエネルギーの平均値および中央値について，モンテカルロ(MC)法を用いてBe, B, C, Al, Si, Cu, Zr, Ag, La, Auの10種類の元素について検討し，電子の背面散乱係数の入射角度依存性を明らかにした．この電子の背面散乱係数をもちいて，加速電圧3- 30keV，電子線入射角度0 - 60度で使用可能な背面散乱補正係数の一般式を開発した．ここで提案した背面散乱補正係数の一般式は広いエネルギー範囲，広い電子線入射角度で使用することができる考えられる．

Rights:

• Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International
  

Keyword: Auger electron spectroscopy, AES, electron backscattering correction, predictive formula for back scattering correction

Date published: 2018-10-19

Publisher: 一般社団法人　表面分析研究会

Journal:

• JOURNAL OF SURFACE ANALYSIS (ISSN: 13411756) vol. 14 issue. 1 p. 9-19

Funding:

Manuscript type: Publisher's version (Version of record)

MDR DOI:

First published URL: https://doi.org/10.1384/jsa.14.9

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Updated at: 2024-01-05 22:13:01 +0900

Published on MDR: 2023-06-29 13:30:18 +0900