Keito Murata
;
Gyo Kitahara
;
Satoru Inoue
;
Toshiki Higashino
;
Satoshi Matsuoka
;
Shunto Arai
(National Institute for Materials Science)
;
Reiji Kumai
;
Tatsuo Hasegawa
説明:
(abstract)ボトムゲート・ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ(TFT)において近年良好なスイッチング性能が報告されている。一方で、デバイス性能にはチャネル材料依存性があることがわかってきた。ここでは2つの異なる材料(Ph-BTBT系とPh-BTNT系)を用いて、さまざまな層数の単結晶有機半導体膜を作製した。それをチャネル層とした有機TFTの系統的な測定をもとに、有機半導体/金属/誘電体の三元界面の安定性が極めて重要な因子であることを明らかにした。
権利情報:
キーワード: organic semiconductors, organic transistors, interface
刊行年月日: 2024-02-02
出版者: American Physical Society (APS)
掲載誌:
研究助成金:
原稿種別: 出版者版 (Version of record)
MDR DOI:
公開URL: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.21.024005
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2024-08-10 08:30:15 +0900
MDRでの公開時刻: 2024-08-10 08:30:15 +0900
ファイル名 | サイズ | |||
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ファイル名 |
MurataPhysRevAppl2024.pdf
(サムネイル)
application/pdf |
サイズ | 3.07MB | 詳細 |